在功率電子(例如驅動技術)中，IGBT經常用作高電壓和高電流開關。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產生于開關期間。為了最大程度減小開關損耗，要求具備較短的開關時間。
然而，快速開關同時隱含著高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅動器，還執行提供短路保護并影響開關速度的功能。然而，在選擇柵極驅動器時，某些特性至關重要。詳細閱讀>>
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簡單來說，柵極驅動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅動用于數字信號傳輸的邏輯電平晶體管時，使用微控制器輸出不會損害應用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應用中，微控制器輸出通常不適合用于驅動功率較大的晶體管。
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通訊應用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓撲的電源模塊。這些拓撲使用高性能半橋驅動器實現高頻操作和高效率。半橋柵極驅動器采用的技術已在業界成功應用了數十年，UCC27282 120-V 2.5A/3.5A半橋驅動器是最新發展成果。詳細閱讀>>
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三相電機運行需要三相逆變器，其一般組成為：6個功率晶體管（MOSFETs或IGBTs）、控制晶體管的柵極驅動器（一個或多個）、實現控制算法（速度、轉矩控制等）的控制邏輯電路（微控制器或微處理器）。詳細閱讀>>
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電流傳感器在變頻器控制中作為關健元器件對變頻器性能做重保障，目前市場上部分變頻器失效很多由電流傳感器損壞或使用不良造成。本文詳細的介紹了電流傳感器在變頻器中的運用。詳細閱讀>>
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從 MOSFET 技術和開關運行概述入手，詳細介紹接地參考和高側柵極驅動電路的設計流程，以及交流耦合和變壓器隔離解決方案。該報告還包含了一個特殊部分，專門介紹在同步整流器應用中 MOSFET 的柵極驅動應用的重要性。詳細閱讀>>
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基于SiC和GaN等材料的新型功率開關技術的出現促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系統。更高的開關頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些主要差異，以及柵極驅動器將如何為這些差異提供支持。詳細閱讀>>
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本應用筆記展示了ADuM4136 柵極驅動器的優勢，這款單通道器件的輸出驅動能力高達4 A，最大共模瞬變抗擾度(CMTI)為150 kV/μs，并具有包括去飽和保護的快速故障管理功能。詳細閱讀>>
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芝加哥，2020年1月14日 - 全球領先的電路保護、電源控制和感應技術制造商Littelfuse, Inc.（納斯達克：LFUS）今天宣布推出柵極驅動器評估平臺(GDEV)。 新的評估平臺可幫助設計師評估碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二極管和柵極驅動器電路等其他外圍組件，以便他們更好地了解碳化硅技術在連續工作條件下如何在轉換器應用中發揮作用。詳細閱讀>>
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Allegro今天推出業界更強大的80V電機驅動器產品組合，可理想用于先進的48V汽車系統。Allegro的48V電機驅動器能夠高效地滿足電動汽車對于靈活且可靠解決方案的迫切需求，完全集成的全新柵極驅動器系列基于Allegro數十年的產業經驗，具有優化的架構和性能，能夠直接為減輕車輛重量、提高電池/燃油效率和駕駛安全性等方面帶來優勢。詳細閱讀>>
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Microchip新發布的AgileSwitch數字可編程柵極驅動器和SP6LI SiC功率模塊工具包加快了從評估到生產的開發速度，從此客戶無需再單獨采購功率模塊和柵極驅動器，包括用于成品生產的柵極驅動器。最新推出的AgileSwitch柵極驅動器和功能可靠、性能強勁的SiC功率模塊可以讓開發人員無需再對功率模塊檢驗后再花費時間開發自己的柵極驅動器，從而將開發周期縮短數月。詳細閱讀>>
在現代柵極驅動器中越來越常見的特性是在輸入和輸出電路之間集成了隔離層。這些器件將一個硅片用于控制信號，另一個用于輸出驅動信號，并通過距離和絕緣材料對其進行物理隔離。控制信號在傳輸過程中可通過多種方式穿過隔離層，但是，與非隔離式柵極驅動器不同的是，隔離層可防止任何顯著的泄漏電流從隔離層的一側流向另一側。由于一個輸入裸片可與多個輸出裸片隔離，而輸出裸片之間又可以彼此隔離，因此輸出公共端可以自由地從輸入公共端或其他輸出公共端向上偏移，直至達到隔離技術的極限。
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